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等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响
引用本文:张晓波,郝广辉,张珂.等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响[J].真空电子技术,2022(6):82-87+103.
作者姓名:张晓波  郝广辉  张珂
作者单位:北京真空电子技术研究所
摘    要:覆膜阴极因其优异的性能在很多领域具有广泛的应用。本文介绍了覆锇膜阴极预处理过程中增加气体辉光放电环节,实现等离子体净化阴极表面的工艺。通过二极管形式测试,发现等离子体净化使得覆锇膜阴极电子发射性能有大幅提升,对比了不同气体类型和放电时长的处理对阴极发射改善的差异,结果表明,氙气放电持续20 min可以达到较好的净化效果,继续增加放电时间发射提升不明显。本研究为真空电子器件的洁净制备提供了参考依据。

关 键 词:覆膜阴极  等离子体净化  电子发射
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