等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响 |
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引用本文: | 张晓波,郝广辉,张珂.等离子体净化工艺对覆膜阴极性能的影响[J].真空电子技术,2022(6):82-87+103. |
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作者姓名: | 张晓波 郝广辉 张珂 |
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作者单位: | 北京真空电子技术研究所 |
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摘 要: | 覆膜阴极因其优异的性能在很多领域具有广泛的应用。本文介绍了覆锇膜阴极预处理过程中增加气体辉光放电环节,实现等离子体净化阴极表面的工艺。通过二极管形式测试,发现等离子体净化使得覆锇膜阴极电子发射性能有大幅提升,对比了不同气体类型和放电时长的处理对阴极发射改善的差异,结果表明,氙气放电持续20 min可以达到较好的净化效果,继续增加放电时间发射提升不明显。本研究为真空电子器件的洁净制备提供了参考依据。
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关 键 词: | 覆膜阴极 等离子体净化 电子发射 |
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