“PERC+SE”单晶硅太阳电池氧化工艺研究

“PERC+SE”单晶硅太阳电池制备过程中，相较于传统的酸抛工艺，在碱抛光工艺之前(即氧化环节)先要制备氧化层SiO₂膜作为掩膜，以保护硅片正面。目前，行业内主要有2种制备SiO₂膜的方式，一种是采用管式扩散炉，另一种是采用链式氧化炉。从实际应用来看，相较于管式扩散炉，链式氧化炉的生产线兼容性更好，产能也更高；而从理论上来看，管式扩散炉比链式氧化炉制备的SiO₂膜更加致密，膜层对掺杂区域的保护也更好。对于这2种设备，从制备的SiO₂膜厚度，硅片氧化前、后和碱抛光后的方块电阻变化，以及制得的“PERC+选择性发射极(SE)”单晶硅太阳电池的电性能3个方面进行详细对比。结果显示：管式扩散炉与链式氧化炉制备的SiO₂膜对SE激光重掺杂区域的保护效果略有差别，但对太阳电池电性能的影响较小，可忽略。因此，结合生产线兼容性及产能情况，链式氧化炉比管式扩散炉更具有推广优势。