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一种嵌入式低功耗高精度带隙基准的设计
引用本文:张春茗,邵志标,周栋. 一种嵌入式低功耗高精度带隙基准的设计[J]. 电子器件, 2007, 30(3): 900-903,907
作者姓名:张春茗  邵志标  周栋
作者单位:西安交通大学电信学院,西安,710049;西安交通大学电信学院,西安,710049;西安交通大学电信学院,西安,710049
摘    要:提出了一种自偏置,共源共栅(Cascode)结构的标准CMOS带隙基准电路,未使用运算放大器,占用面积小,功耗低,有利于集成到低功耗电路系统.采用新颖的Power On Reset 电路解决了自偏置电路的启动问题.采用基极电流消除技术和基极电阻补偿技术实现高精度.在UMC 0.25 μm 3.3 V电源电压CMOS工艺条件下进行模拟验证,模拟结果表明:带隙基准输出电压为1.208 3 V,在-20~80 ℃温度范围内,温度系数为8×10-6/℃,电源抑制比(PSRR)为-65.8 dB,功耗小于200 μW,输出噪声225 nV/Hz.

关 键 词:带隙基准  低功耗高精度  自偏置  启动电路  温度系数  电源电压抑制比(PSRR)
文章编号:1005-9490(2007)03-0900-04
修稿时间:2006-06-22

Design of Embedded Low-Power High-Resolution Bandgap Reference
ZHANG Chun-ming,SHAO Zhi-biao,ZHOU Dong. Design of Embedded Low-Power High-Resolution Bandgap Reference[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(3): 900-903,907
Authors:ZHANG Chun-ming  SHAO Zhi-biao  ZHOU Dong
Abstract:
Keywords:bandgap reference  low-power high-resolution  self-bias  start-up circuit  temperature coefficient  Power Supply Rejection Rate(PSRR)
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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