| 自组装Si量子点阵中室温共振隧穿及微分负阻特性 |
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| 引用本文： | 余林蔚,陈坤基,宋捷,王久敏,王祥,李伟,黄信凡. 自组装Si量子点阵中室温共振隧穿及微分负阻特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 15-19 |
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| 作者姓名： | 余林蔚 陈坤基 宋捷 王久敏 王祥 李伟 黄信凡 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,固体微结构实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);2001CB610503; |
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| 摘 要： | 报道了自组装Si量子点(Si-QDs)阵列在室温下的共振隧穿及其微分负阻特性.在等离子增强化学气相沉淀系统中,采用layer-by-layer的淀积技术和原位等离子体氧化方法制备了Al/SiO2/Si-QDs/SiO2/Substrate双势垒结构.通过原子力显微镜和透射电子显微镜检测,证实所获得的Si-QDs阵列中Si量子点平均尺寸为6nm,并具有较好的尺寸均匀性(小于10%).在对样品的室温I-V和C-V特性的测量中,直接观测到由于Si量子点中分立能级而引起的共振隧穿和充电效应:I-V特性表现出显著的"微分负阻特性(NDR)";而CV特性中也同样观测到位置相对应、结构相似的峰结构,从而证实了I-V和C-V特性中的峰结构都同样来源于电子与Si量子点阵列中分离能级之间的共振隧穿和充电过程.进一步研究发现,Si量子点阵列中共振隧穿和NDR特性所特有"扫描方向"和"速率"依赖性及其机制,与量子阱的情况有所不同.通过所建立的主方程数值模型,成功地解释并重复了Si量子点阵中共振隧穿所特有的输运特性.
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| 关 键 词： | Si量子点阵列 NDR 共振隧穿 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0015-05 |
| 修稿时间： | 2005-11-15 |
Room Temperature Resonant Tunneling and Negative Differential Resistance Effects in a Self-Assembed Si Quantum Dot Array |
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| Yu Linwei,Chen Kunji,Song Jie,Wang Jiumin,Wang Xiang,Li Wei,Huang Xinfan. Room Temperature Resonant Tunneling and Negative Differential Resistance Effects in a Self-Assembed Si Quantum Dot Array[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 15-19 |
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| Authors: | Yu Linwei Chen Kunji Song Jie Wang Jiumin Wang Xiang Li Wei Huang Xinfan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si quantum dot array NDR resonant tunneling |
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