| 低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si_3N_4薄膜 |
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| 引用本文： | 景俊海,孙青,付俊兴,孙建成. 低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si_3N_4薄膜[J]. 材料研究学报, 1991, 5(3): 247-251 |
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| 作者姓名： | 景俊海 孙青 付俊兴 孙建成 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学(景俊海，孙青，付俊兴)，西安电子科技大学(孙建成) |
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| 摘 要： | 用光-CVD 技术,在100—200℃的温度下,在 Si 片上淀积出了 Si_3N_4薄膜。本文研究了薄膜淀积速率与淀积参数的关系,讨论了淀积的 Si_3N_4薄膜的物理性质、化学性质和力学性质。
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| 关 键 词： | 低温 Hg 敏化 光化学气相淀积 Si_3N_4 薄膜 |
| 收稿时间： | 1991-06-25 |
| 修稿时间： | 1991-06-25 |
LOW-TEMPERATURE Hg SENSITIZED PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITED Si_3N_4 FILMS |
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| JING Junhai SUN Qing FU Junxing SUN Jiancheng. LOW-TEMPERATURE Hg SENSITIZED PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITED Si_3N_4 FILMS[J]. Chinese Journal of Materials Research, 1991, 5(3): 247-251 |
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| Authors: | JING Junhai SUN Qing FU Junxing SUN Jiancheng |
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| Affiliation: | University of Electronics Science and Technology of Xi'an |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low-temperature Hg sensitizing photo-CVD Si_3N_4 films |
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