PECVD氮氧化硅膜的初始瞬态过程与其特性关系的研究

AES分析表明,PECVD SiON-Si界面处存在一个很薄的富Si区域。本研究表明,它与介质膜的界面特性密切相关,对不同组分、不同工艺的介质膜,其界面富Si区域情况不同,从而使界面特性不同。本文给出了PECVD介质膜界面贫H的机理。实验中采用了俄歇能谱、红外光谱,C—V测试等分析手段,研究了膜内部结构。