| 碳化硅纳米晶须的制备 |
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| 引用本文： | 戴长虹,水丽. 碳化硅纳米晶须的制备[J]. 硅酸盐学报, 2001, 29(3): 275-277 |
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| 作者姓名： | 戴长虹 水丽 |
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| 作者单位： | 1. 青岛化工学院,
2. 沈阳工业学院, |
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| 基金项目： | 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金资助项目 !(9816) |
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| 摘 要： | 以SiO2纳米粉和自制的树脂热解碳作原料，用一种新的加热设备－双重加热炉合成了直径在5－30nm范围内，长径比在50－300之间的碳化硅纳米晶须。用化学分析方法，X射线衍射仪、透射电子显微镜等手段对碳化硅纳米晶须进行了表征。研究结果表明：用双重加热炉合成碳化硅纳米晶须的最佳湿度范围为1250－1300℃，恒温时间为60－75min，碳化硅纳米晶须的产率最高可达82％（质量分数）。
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| 关 键 词： | 碳化硅 纳米晶须 制备 双重加热炉 陶瓷 |
| 文章编号： | 0454-5648(2001)03-0275-03 |
| 修稿时间： | 2000-05-11 |
PREPARATION OF SILICON CARBIDE NANOMETER WHISKERS |
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| Dai Changhong ,Shui Li. PREPARATION OF SILICON CARBIDE NANOMETER WHISKERS[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2001, 29(3): 275-277 |
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| Authors: | Dai Changhong Shui Li |
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| Affiliation: | Dai Changhong 1,Shui Li 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide nanometer whisker preparation |
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