| 掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究 |
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| 作者姓名： | 李诚瞻 刘键 刘新宇 刘果果 庞磊 陈晓娟 刘丹 姚小江 和致经 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB311903),中国科学院重点创新资助项目(KGCX2-SW-107) |
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| 摘 要： | 对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因为对于掺杂AlGaN/GaN HEMT,表面态俘获电子将耗尽掺杂AlGaN层,从而能对2DEG起屏蔽作用.AlGaN体内杂质电离后留下正电荷也能进一步屏蔽表面态对沟道2DEG的影响.
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| 关 键 词： | GaN HEMT 电流崩塌效应 掺杂 |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)05-1532-03 |
| 修稿时间： | 2006-12-05 |
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