| 重氮掺杂GaP中NN_3束缚激子与声子的耦合 |
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| 引用本文： | 高玉琳,吕毅军,郑健生,张勇,A Mascarenhas,辛火平,杜武青. 重氮掺杂GaP中NN_3束缚激子与声子的耦合[J]. 半导体学报, 2004, 25(8): 889-893 |
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| 作者姓名： | 高玉琳 吕毅军 郑健生 张勇 A Mascarenhas 辛火平 杜武青 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系 厦门361005(高玉琳，吕毅军，郑健生)，美国可再生能源实验室 戈尔登(张勇，A.Mascarenhas)，美国加利福尼亚大学电机工程系 加利福尼亚(辛火平)，美国加利福尼亚大学电机工程系 加利福尼亚(杜武青) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 厦门大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴线的黄昆因子S,除了LO声子外,得到了TO和TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系.计算表明,NN3的LO,TO和TA声子的S因子均与温度无关,说明NN 3的LO,TO和TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系,符合黄昆的多声子光跃迁理论.
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| 关 键 词： | GaPN 光致发光 等电子陷阱 GaPN photoluminescence isoelectronic impurity |
Exciton-Phonon Coupling of NN3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP |
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| A.Mascarenhas. Exciton-Phonon Coupling of NN3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(8): 889-893 |
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| Authors: | A.Mascarenhas |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaPN photoluminescence isoelectronic impurity |
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