| AIN-SiC复相材料的制备及其微波衰减性能 |
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| 引用本文： | 步文博,丘泰,徐洁. AIN-SiC复相材料的制备及其微波衰减性能[J]. 硅酸盐学报, 2003, 0(9) |
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| 作者姓名： | 步文博 丘泰 徐洁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所，南京工业大学材料科学与工程学院，南京工业大学材料科学与工程学院 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室，上海 200050，南京 210009，南京 210009 |
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| 摘 要： | 以氮化铝、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,1900～2000℃、氮气氛下,制备了AlN-SiC复相材料。运用XRD,高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段,研究了微波衰减剂碳化硅含量及AlN-SiC部分固溶体的形成对材料微波衰减性能的影响,结果表明:AlN-SiC复相材料的频谱特性随衰减剂碳化硅含量的变化而呈现出选频衰减、宽频衰减等特性。当衰减剂SiC质量分数少于40％时,AlN-SiC复合材料具有选频衰减特性,SiC含量为40％～60％时,复合材料具有宽频衰减特性。AlN-SiC部分固溶体的形成有助于改善材料的宽频衰减特性。
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| 关 键 词： | 氮化铝 碳化硅 固溶体 微波衰减 |
PREPARATION AND MICROWAVE ATTENUATION PERFORMANCE OF AIN - SiC COMPOSITES |
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| BU Wenbo,QIU Tai,XU Jie. PREPARATION AND MICROWAVE ATTENUATION PERFORMANCE OF AIN - SiC COMPOSITES[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2003, 0(9) |
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| Authors: | BU Wenbo QIU Tai XU Jie |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum nitride silicon carbide solid solution microwave attenuation |
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