| 退火温度对SiC薄膜表面形貌和结构的影响 |
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| 引用本文： | 邵红红,张亮,高建昌,苏波.退火温度对SiC薄膜表面形貌和结构的影响[J].金属热处理,2009,34(9). |
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| 作者姓名： | 邵红红 张亮 高建昌 苏波 |
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| 作者单位： | 江苏大学材料科学与工程学院,江苏,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 江苏高校省级重点实验室开放课题(kjsmcx04005) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)表面制备了非晶态SiC薄膜,并于真空热处理炉中进行(800～1200)℃×1h退火处理。通过X射线衍射、扫描电镜以及摩擦磨损试验研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌以及性能的影响。结果表明,退火温度在800℃以上薄膜结构开始发生明显的晶态转变,在1000℃时薄膜主要结构为3C-SiC,且薄膜表面晶粒细小、致密,摩擦系数约为0.2。在1200℃退火时,薄膜为混晶结构,且薄膜晶粒明显粗化。
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| 关 键 词： | SiC薄膜 磁控溅射 退火温度 |
Effects of annealing temperature on surface morphology and structure of SiC film |
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| SHAO Hong-hong,ZHANG Liang,GAO Jian-chang,SU Bo.Effects of annealing temperature on surface morphology and structure of SiC film[J].Heat Treatment of Metals,2009,34(9). |
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| Authors: | SHAO Hong-hong ZHANG Liang GAO Jian-chang SU Bo |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering;Jiangsu University;Zhenjiang Jiangsu 212013;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC film magnetron sputtering annealing temperature |
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