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N沟硅栅(6μm)E/D工艺探讨
作者姓名:郭玉璞
作者单位:机电部东北微电子研究所
摘    要:本文以 LN6845(其面积较大,功能较复杂)为例,对 E/D 工艺中的若干问题,如:工艺路线、材料选取、参数规范、工艺环境、工艺条件控制以及成品率决定因素等有关方面均做了详细探讨与介绍,对器件性能的提高以及成品率的稳定也做了实际探讨与介绍,以使工艺条件逐步最佳化。

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