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| 采用介质谐振器的C波段高频稳度的低噪声GaAs FET集成振荡器 | |
| 引用本文： | H.阿部,李国金.采用介质谐振器的C波段高频稳度的低噪声GaAs FET集成振荡器[J].雷达与对抗,1984(12). |
| 作者姓名： | H.阿部 李国金 |
| 摘 要： | 本文所介绍的采用氧化钡——二氧化钛系列陶瓷介质谐振器来稳频的GaAsFET(砷化镓场效应晶体管)集成振荡器,向人们提供了小型低噪声微波功率源。最近研制的陶瓷其膨胀系数与介电常数的温度系数相互补偿,因而谐振频率的温度系数很小。在6千兆赫时可获得输出为100毫瓦、效率为17％、频率温度系数小到2.3ppm/℃的振荡器。由于稳定,调频噪声电平还可减小30分贝。作者对振荡器和介质谐振器的动态特性作了精确测量,以决定等效电路表达式;提出了建立在这些等效电路表达式基础上的大信号设计理论,以求得振荡器与稳定介质谐振器之间的最佳耦合条件。本稳定振荡器的性能足以满足微波通信系统的需要 |
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