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| 电场对InAs/InAlAs圆形截面量子线中激子态的影响 | |
| 作者姓名： | 李雪 王海龙 胡敏 贾召赛 曹鑫 |
| 摘 要： | 基于有效质量包络函数近似理论,采用变分法计算了InAs/InxAl1-xAs圆形截面量子线中的基态激子结合能和发射能.计算过程主要考虑了量子线半径、材料组分和外加电场的影响.理论研究表明,随着量子线半径的减小,激子结合能先增大到最大值,然后继续减小;Al组分越高,激子的结合能越高;较小强度的外加电场对激子结合能影响不大... |
| 关 键 词： | 量子线 电场 激子 变分法 |
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