硅烷法制备非晶硅粉的晶化研究

研究不同温度下硅烷分解所制备的非晶硅粉的晶化规律。对非晶硅粉采用不同的温度进行退火处理使其晶化，用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和紫外可见吸收谱（UV）进行分析。结果表明：当退火温度高于750℃，硅粉开始晶化；温度低于750℃时，硅粉较难结晶。通过Scherrer公式计算，结合SEM和UV验证表明：750℃时，非晶硅粉晶化并不完全，退火后颗粒大小约为200nm。紫外可见光谱分析得到退火后光学带隙为1．5eV左右。