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| GSMBE GaN膜的电子输运性质研究 | |
| 引用本文： | 王晓亮,孙殿照,孔梅影,张剑平,曾一平,李晋闽,林兰英.GSMBE GaN膜的电子输运性质研究[J].半导体学报,1998,19(12):890-895. |
| 作者姓名： | 王晓亮 孙殿照 孔梅影 张剑平 曾一平 李晋闽 林兰英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），相应的非有意掺杂电子浓度为９．１×１０１７ｃｍ－３．对一些ＧａＮ膜进行了变温Ｈａｌ测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Ｈａｌ迁移率随温度的变化研究了ＧａＮ外延膜的导电机理．结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主． |
| 关 键 词： | 氮化镓 GSMBE 电子输动性质 |
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