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| 全温区超薄基区SiGe HBT参数特性研究 | |
| 引用本文： | 李垚,魏同立,孔德义,许居衍.全温区超薄基区SiGe HBT参数特性研究[J].固体电子学研究与进展,2002,22(1):5-7,18. |
| 作者姓名： | 李垚 魏同立 孔德义 许居衍 |
| 作者单位： | 1. 中国科技大学物理系微电子室,合肥,230026 2. 东南大学微电子中心,南京,210096 3. 中科院合肥智能所,230031 4. 中国华晶电子集团公司,无锡,214061 |
| 摘 要： | 分析了不同温度下超薄基区 Si Ge HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化 ,并给出了实验比较 |
| 关 键 词： | 硅锗 异质结双极晶体管 超薄基区 |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)01-005-03 |
Parameters Characteristics of Ultra-thin-base SiGe HBT within the Whole Temperature Range |
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| Abstract: | Variations of carrier temperature and diffusion coefficient with structural parameters in the ultra thin base in SiGe HBT are analyzed at different temperatures, then result of an experiment is given. |
| Keywords: | SiGe HBT ultra thin base |
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