全温区超薄基区SiGe HBT参数特性研究 |
| |
引用本文: | 李垚,魏同立,孔德义,许居衍. 全温区超薄基区SiGe HBT参数特性研究[J]. 固体电子学研究与进展, 2002, 22(1): 5-7,18 |
| |
作者姓名: | 李垚 魏同立 孔德义 许居衍 |
| |
作者单位: | 1. 中国科技大学物理系微电子室,合肥,230026 2. 东南大学微电子中心,南京,210096 3. 中科院合肥智能所,230031 4. 中国华晶电子集团公司,无锡,214061 |
| |
摘 要: | 分析了不同温度下超薄基区 Si Ge HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化 ,并给出了实验比较
|
关 键 词: | 硅锗 异质结双极晶体管 超薄基区 |
文章编号: | 1000-3819(2002)01-005-03 |
Parameters Characteristics of Ultra-thin-base SiGe HBT within the Whole Temperature Range |
| |
Abstract: | Variations of carrier temperature and diffusion coefficient with structural parameters in the ultra thin base in SiGe HBT are analyzed at different temperatures, then result of an experiment is given. |
| |
Keywords: | SiGe HBT ultra thin base |
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录! |
|