| Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱 |
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| 引用本文： | 蒋伟荣,周星飞,施斌,胡冬枝,刘晓晗,蒋最敏,张翔九. Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱[J]. 半导体学报, 2000, 21(7): 662-666 |
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| 作者姓名： | 蒋伟荣 周星飞 施斌 胡冬枝 刘晓晗 蒋最敏 张翔九 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(69776010)项目、863计划新材料领域资助项目[Project Supported by National Natural Science Foundation of China(Grant No．69776010) and by National High-Technology(863)Research and Development Program of China] |
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| 摘 要： | 利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响.结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面的互扩散,在650℃下也没有观察到明显的界面互混.没有Sb时,在500℃下已存在一定程度的界面互混,界面互混程度随外延层生长温度的增高而增强.这种互扩散的差别与成岛生长时应变释放有关
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| 关 键 词： | Ge/Si互扩散 分子束外延 喇曼光谱 表面活化剂 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)07-0662-05 |
| 修稿时间： | 1999-05-30 |
Interdiffusion of Si and Ge Atoms During Epitaxy Growth of Ge Layer on Si (100) Studied by Raman Spectroscopy |
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| JIANG Wei|rong,ZHOU Xing|fei,SHI Bin,HU Dong|zhi,LIU Xiao|han,JIANG Zui|min and ZHANG Xiang|jiu. Interdiffusion of Si and Ge Atoms During Epitaxy Growth of Ge Layer on Si (100) Studied by Raman Spectroscopy[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 662-666 |
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| Authors: | JIANG Wei|rong ZHOU Xing|fei SHI Bin HU Dong|zhi LIU Xiao|han JIANG Zui|min ZHANG Xiang|jiu |
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| Affiliation: | JIANG Wei-rong,ZHOU Xing-fei,SHI Bin,HU Dong-zhi,LIU Xiao-han,JIANG Zui-min(Surface Physics State Key Laboratory, Fudan Uniuersity, Shanghai 200433, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge/Si interdiffusion MBE Raman spectroscopy surfactant |
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