| 碲锌镉单晶片的退火方法 |
| |
| 引用本文： | 高德友,赵北君,朱世富,唐世红,何知宇,张冬敏,方军,程曦. 碲锌镉单晶片的退火方法[J]. 功能材料与器件学报, 2008, 14(3): 575-579 |
| |
| 作者姓名： | 高德友 赵北君 朱世富 唐世红 何知宇 张冬敏 方军 程曦 |
| |
| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 高等学校博士学科点专项科研项目 |
| |
| 摘 要： | 探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究.利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善.XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的cd组分含量有一定增加.采用该方法退火后,晶体品质有一定提高.
|
| 关 键 词： | 碲锌镉单晶片 退火 电阻率 XRD 红外透射谱 |
Annealing of Cd1-xZnxTe Wafers |
| |
| GAO De-you,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,TANG Shi-hong,HE Zhi-yu,ZhANG Dong-min,FANG Jun,CHENG Xi. Annealing of Cd1-xZnxTe Wafers[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2008, 14(3): 575-579 |
| |
| Authors: | GAO De-you ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu TANG Shi-hong HE Zhi-yu ZhANG Dong-min FANG Jun CHENG Xi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
