| 光CVD SiO2钝化膜在红外探测器中的应用 |
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| 引用本文： | 程开富.光CVD SiO2钝化膜在红外探测器中的应用[J].半导体光电,1989,10(2):79-85. |
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| 作者姓名： | 程开富 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所 |
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| 摘 要： | 本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50～300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜的淀积条件和性质以及光 CVDSiO_2钝化膜在 InSb、HgCdTc 红外探测器中的应用。
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| 关 键 词： | 光CVD SiO2膜 红外探测器 |
Application of Photo-CVD SiO_2 Passivation Films for Infrared Detectors |
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| Cheng Kaifu Chongqing Optoelectronics Research Institute.Application of Photo-CVD SiO_2 Passivation Films for Infrared Detectors[J].Semiconductor Optoelectronics,1989,10(2):79-85. |
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| Authors: | Cheng Kaifu Chongqing Optoelectronics Research Institute |
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| Affiliation: | Cheng Kaifu Chongqing Optoelectronics Research Institute |
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| Keywords: | Photo-CVD SiO_2 Film Infrared Detector |
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