| 沉积温度对ALD制备HfO2薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵恒利,杨培志,李赛. 沉积温度对ALD制备HfO2薄膜结构和性能的影响[J]. 半导体技术, 2022, 47(3). DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.03.006 |
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| 作者姓名： | 赵恒利 杨培志 李赛 |
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| 作者单位： | 云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明 650500;楚雄师范学院物理与电子科学学院,云南楚雄 675000,云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明 650500 |
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| 基金项目： | 云南省高校科技创新团队支持计划资助项目;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | HfO2薄膜 原子层沉积(ALD) 沉积温度 表面形貌 光电性能 |
Effects of Deposition Temperature on Structures and Properties of HfO2 Thin Films Prepared by ALD |
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| Zhao Hengli,Yang Peizhi,Li Sai. Effects of Deposition Temperature on Structures and Properties of HfO2 Thin Films Prepared by ALD[J]. Semiconductor Technology, 2022, 47(3). DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.03.006 |
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| Authors: | Zhao Hengli Yang Peizhi Li Sai |
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| Abstract: | |
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