| 热电应力下闪速存储器耐擦写次数预测方法 |
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| 引用本文： | 刘江城,岳阳,黄姣英,高成.热电应力下闪速存储器耐擦写次数预测方法[J].半导体技术,2022,47(3):243-248. |
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| 作者姓名： | 刘江城 岳阳 黄姣英 高成 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学可靠性与系统工程学院,北京 100191,北京遥感设备研究所,北京 100854 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 闪速存储器 阿伦尼斯模型 耐擦写次数 热电应力 阈值电压 |
Prediction Method for Erasable Times of Flash Memory Under Thermoelectric Stress |
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| Liu Jiangcheng,Yue Yang,Huang Jiaoying,Gao Cheng.Prediction Method for Erasable Times of Flash Memory Under Thermoelectric Stress[J].Semiconductor Technology,2022,47(3):243-248. |
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| Authors: | Liu Jiangcheng Yue Yang Huang Jiaoying Gao Cheng |
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| Abstract: | |
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