| 4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件 |
| |
| 引用本文： | 张跃,张腾,黄润华,柏松. 4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件[J]. 电子元件与材料, 2022, 41(4): 376-380. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0020 |
| |
| 作者姓名： | 张跃 张腾 黄润华 柏松 |
| |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 宽禁带功率半导体器件国家重点实验室, 江苏 南京 210016 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(12035019)； |
| |
| 摘 要： | 介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件.该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数.仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12％,FOM值提升了5.1％.提...
|
| 关 键 词： | 4H-SiC 台阶型沟槽 MOSFET 栅氧化层 尖峰电场 FOM值 |
4H-SiC step trench MOSFET device |
| |
| ZHANG Yue,ZHANG Teng,HUANG Runhua,BAI Song. 4H-SiC step trench MOSFET device[J]. Electronic Components & Materials, 2022, 41(4): 376-380. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0020 |
| |
| Authors: | ZHANG Yue ZHANG Teng HUANG Runhua BAI Song |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
