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252kV GIS局部放电特高频信号在直线和L型结构中传播特性的试验研究北大核心CSCD
引用本文:吴云杰,张宏亮,吴军辉,张高潮.252kV GIS局部放电特高频信号在直线和L型结构中传播特性的试验研究北大核心CSCD[J].高压电器,2022(7):223-228.
作者姓名:吴云杰  张宏亮  吴军辉  张高潮
作者单位:1. 兰州理工大学电气工程与信息工程学院;2. 西安交通大学
摘    要:随着高压开关智能化的发展,GIS局部放电在线检测技术得到了越来越多的推广应用。由于内置式局部放电传感器具有较高的传感灵敏度和良好的抗干扰性能,目前在252 kV及以上电压等级的GIS产品上出厂时都要求安装内置式局部放电传感器,内置式局部放电传感器在GIS上布置的合理性尤为重要,因此需要开展局部放电信号在GIS中传播特性的研究。文中采用频谱仪和同步扫频信号发生器测量不同位置局部放电传感器的插入损耗及波形图,试验研究了局部放电产生的电磁波在252 kV GIS典型结构(直线型和L型结构)中的传播特性。结果表明:局部放电UHF信号在252 kV GIS中沿直线距离平均衰减为0.37 dB/m,经过一个L型结构衰减5.5 dB,研究结果可以为局部放电内置传感器在GIS上的布置提供理论指导。

关 键 词:局部放电  特高频  插入损耗  信号衰减
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