基于GaAs pHEMT的1.0～2.4 GHz放大衰减多功能芯片

基于0.25 μm GaAs赝高电子迁移晶体管(pHEMT)工艺，研制了一种1.0～2.4 GHz的放大衰减多功能芯片，该芯片具有低噪声、高线性度和增益可数控调节等特点。电路由第一级低噪声放大器、4位数控衰减器、第二级低噪声放大器依次级联构成，同时在片上集成了TTL驱动电路。为获得较大的增益和良好的线性度，两级低噪声放大器均采用共源共栅结构(Cascode)。测试结果表明，在1.0～2.4 GHz频带范围内，该芯片基态小信号增益约为36 dB，噪声系数小于1.8 dB，输出1 dB压缩点功率大于16 dBm，增益调节范围为15 dB，调节步进1 dB，衰减RMS误差小于0.3 dB，输入输出电压驻波比小于1.5。其中放大器采用单电源+5 V供电，静态电流小于110 mA，TTL驱动电路采用-5 V供电，静态功耗小于3 mA。整个芯片的尺寸为3.5 mm×1.5 mm×0.1 mm。