| 基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC |
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| 引用本文： | 许春良,李明,王雨桐,魏洪涛. 基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC[J]. 半导体技术, 2022, 47(3): 237-242. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.03.011 |
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| 作者姓名： | 许春良 李明 王雨桐 魏洪涛 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) W波段 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) |
A W-Band Low Noise Amplifier MMIC Based on GaN HEMT Technology |
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| Xu Chunliang,Li Ming,Wang Yutong,Wei Hongtao. A W-Band Low Noise Amplifier MMIC Based on GaN HEMT Technology[J]. Semiconductor Technology, 2022, 47(3): 237-242. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.03.011 |
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| Authors: | Xu Chunliang Li Ming Wang Yutong Wei Hongtao |
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| Abstract: | |
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