首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC
引用本文:杜鹏搏,王瑜,焦雪龙,刘学利,崔朝探,任志鹏,曲韩宾.Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC[J].半导体技术,2022,47(3):231-236.
作者姓名:杜鹏搏  王瑜  焦雪龙  刘学利  崔朝探  任志鹏  曲韩宾
作者单位:河北新华北集成电路有限公司,石家庄 050200;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;河北省卫星通信射频技术创新中心,石家庄 050200,河北新华北集成电路有限公司,石家庄 050200;河北省卫星通信射频技术创新中心,石家庄 050200
摘    要:

关 键 词:功率放大器(PA)  高电子迁移率晶体管(HEMT)  单片微波集成电路(MMIC)  功率合成  奇模抑制

Ka-Band GaN HEMT High Efficiency Power Amplifier MMIC
Du Pengbo,Wang Yu,Jiao Xuelong,Liu Xueli,Cui Zhaotan,Ren Zhipeng,Qu Hanbin.Ka-Band GaN HEMT High Efficiency Power Amplifier MMIC[J].Semiconductor Technology,2022,47(3):231-236.
Authors:Du Pengbo  Wang Yu  Jiao Xuelong  Liu Xueli  Cui Zhaotan  Ren Zhipeng  Qu Hanbin
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号