| 超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究 |
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| 引用本文： | 崔志慧,王辰伟,刘玉岭,赵红东,续晨. 超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究[J]. 电子元件与材料, 2022, 41(4): 392-397. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1631 |
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| 作者姓名： | 崔志慧 王辰伟 刘玉岭 赵红东 续晨 |
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| 作者单位： | 河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130,河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130;光电信息控制和安全技术重点实验室, 天津 300308 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(62074049)；;河北省自然科学基金(E2019202367)； |
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| 摘 要： | 在铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,由于工艺和材料等因素会产生划伤和沾污等缺陷问题,造成器件失效、良率降低及潜在可靠性等问题.研究了抛光液中活性剂及超滤工艺对CMP后缺陷的影响,提出了活性剂和超滤协同控制CMP后缺陷的作用机理.通过粒径和大颗粒测试仪表征抛光液粒径和大颗粒数的变化,通过扫描电子显微镜(SEM)和...
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 缺陷 活性剂 超滤工艺 协同作用 |
Mechanism to control the defects in copper barrier layer after CMP by synergistic action of ultrafiltration and surfactant |
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| CUI Zhihui,WANG Chenwei,LIU Yuling,ZHAO Hongdong,XU Chen. Mechanism to control the defects in copper barrier layer after CMP by synergistic action of ultrafiltration and surfactant[J]. Electronic Components & Materials, 2022, 41(4): 392-397. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1631 |
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| Authors: | CUI Zhihui WANG Chenwei LIU Yuling ZHAO Hongdong XU Chen |
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