| 激光退火硅晶圆温度场分布的数值模拟研究 |
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| 引用本文： | 刘敏,郑柳,何志,王文武. 激光退火硅晶圆温度场分布的数值模拟研究[J]. 激光与红外, 2022, 52(4): 515-521. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2022.04.008 |
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| 作者姓名： | 刘敏 郑柳 何志 王文武 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京 100029 |
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| 基金项目： | 广东省重点领域研发计划项目(No.2019B010144001)资助； |
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| 摘 要： | 目前，激光退火技术被广泛应用于半导体加工领域，但对如何选择激光条件进行相应的退火并没有系统清晰的准则可以参考，尤其是在硅的深注入杂质激活方面。本文通过对激光照射在硅晶圆上形成的温度场分布进行数值模拟研究，分析了激光波长和脉冲宽度对加热深度以及晶圆背面温度的影响。结果表明，延长激光波长或脉冲宽度，都有助于增加激光退火的加热深度。而对于特定的激活深度需求，存在着最优的激光波长和脉冲宽度组合，可以使退火所需要的激光脉冲能量最低，硅晶圆背面的温升最小。本文通过模拟仿真给出了激活深度在1～10μm范围内的最优波长和脉宽值，可为实现高效的深硅注入激光激活工艺提供重要的条件参考。
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| 关 键 词： | 激光退火 硅晶圆 温场分布 加热深度 最优波长与脉宽 最小温升 |
Numerical simulation of temperature field distributioninduced by laser annealing in silicon wafer |
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| LIU Min,ZHENG Liu,HE Zhi,WANG Wen-wu. Numerical simulation of temperature field distributioninduced by laser annealing in silicon wafer[J]. Laser & Infrared, 2022, 52(4): 515-521. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2022.04.008 |
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| Authors: | LIU Min ZHENG Liu HE Zhi WANG Wen-wu |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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