| 一款高增益宽带低噪声放大器的设计 |
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| 引用本文： | 张博,张帅,吴昊谦. 一款高增益宽带低噪声放大器的设计[J]. 电子元件与材料, 2022, 41(3): 266-272. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1726 |
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| 作者姓名： | 张博 张帅 吴昊谦 |
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| 作者单位： | 西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121 |
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| 基金项目： | 陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-010)；;陕西省教育厅重点科学研究计划项目(20JY059)； |
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| 摘 要： | 采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺设计了一款0.5～5 GHz高增益宽带低噪声放大器芯片.该放大器采用三级共源结构,运用负反馈技术有效地进行了输入输出阻抗匹配,针对高频增益不足问题,在共栅晶体管的栅极到地之间增加栅极电容,提高了高频增益,改善了增益平坦度,拓展了带宽.同时,放大器前两级应用电流复用技术,大大降...
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| 关 键 词： | 增益平坦度 共源共栅 负反馈 电流复用 |
Design of a high-gain,broadband and low-noise amplifier |
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| ZHANG Bo,ZHANG Shuai,WU Haoqian. Design of a high-gain,broadband and low-noise amplifier[J]. Electronic Components & Materials, 2022, 41(3): 266-272. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1726 |
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| Authors: | ZHANG Bo ZHANG Shuai WU Haoqian |
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