| 硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究 |
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| 引用本文： | 叶志镇,张昊翔,赵炳辉,王宇,刘红学. 硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究[J]. 功能材料与器件学报, 2000, 6(4): 305-308 |
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| 作者姓名： | 叶志镇 张昊翔 赵炳辉 王宇 刘红学 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然基金重大项目! (No .69890 2 30 )资助 |
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| 摘 要： | 采用反应蒸发光地在提高缓冲层的生长温度，通过对Ｓｉ基上ＧａＮ样品缓冲层区域的高分辨透射电镜像（ＨＲＴＥＭ）和界面区域的选区电子衍射（ＳＡＥＤ）分析的基础上，提出了本系统ＧａＮ外延的晶体学位相关系和生长机理。ＧａＮ与Ｓｉ衬底之间存在着下列的晶体学位相关系：ＧａＮ〈０００１〉∥Ｓｉ〈１１１〉，ＧａＮ〈１１２０〉∥Ｓｉ〈１１０〉，ＧａＮ外延生长首先在硅衬底上形成ＧａＮ晶核，生长出ＧａＮ多晶缓冲层，ＧａＮ
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| 关 键 词： | 氮化镓 硅基 位相关系 生长机理 外延生长 |
| 修稿时间： | 2000－07－20 |
Investigation of the orientation relationships and growth mechanism of GaN epitaxy on silicon |
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| YE Zhi-zhen,ZHANG Hao-xiang,ZHAO Bing-hui,WANG Yu,LUI Hong-xue. Investigation of the orientation relationships and growth mechanism of GaN epitaxy on silicon[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2000, 6(4): 305-308 |
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| Authors: | YE Zhi-zhen ZHANG Hao-xiang ZHAO Bing-hui WANG Yu LUI Hong-xue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN Silicon Epitaxy Orientation relationship Growth mechani |
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