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| 混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究 | |
| 引用本文： | 俞容文,郑健生,颜炳章.混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究[J].半导体学报,1999,20(5):429-432. |
| 作者姓名： | 俞容文 郑健生 颜炳章 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系 |
| 摘 要： | 本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移现象．从变温光致发光谱得到在温度Ｔ＜５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝１１．２ｍｅＶ；在温度Ｔ＞５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝６７ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝３２ｍｅＶ．根据实验结果，我们提出，ＮＸ和ＮΓ中心分别来自孤立Ｎ中心和Ｎ束缚激子分 |
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