新型功率器件IGBT研制 |
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引用本文: | 袁寿财.新型功率器件IGBT研制[J].半导体技术,1997(2):26-29. |
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作者姓名: | 袁寿财 |
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作者单位: | 西安电力电子技术研究所 |
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摘 要: | 简述了IGBT的设计技术和制造工艺。对IGBT的I-V特性,开关特性及闩锁效应了系统的研究,结合实际工艺对IGBT的版图及工艺进行了优化设计,合作开发了适于制作IGBT的异型厚外延材料。成功地制作了10A/800V,20A/1050V的IGBT芯片,给出了试制样品的测试结果。
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关 键 词: | IGBT VDMOS 元胞 功率器件 |
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