| 原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律席珍强 |
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| 作者姓名： | 席珍强 杨德仁 陈君 阙端麟 H.J.Moeller |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学硅材料国家重点实验室,Institute for Experimental Physics,TU-Freiberg,Freiberg 09596,Germany 杭州310027,杭州310027,杭州310027,杭州310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律. 红外扫描仪观察发现：只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察到铜沉淀团,表明在原生单晶硅中铜沉淀温度为800℃. 同时,红外扫描仪和电子束诱生电流谱仪照片显示,快冷（30K/s）时,形成高密度的小铜沉淀团;而慢冷（0.3K/s）导致低密度、巨大的星形铜沉淀团的形成. 实验还发现慢冷所形成的星形铜沉淀团对少数载流子具有更强的复合强度. 最后,讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理.
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| 关 键 词： | 单晶硅 铜 沉淀 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）09-1753-07 |
| 收稿时间： | 2005-01-23 |
| 修稿时间： | 2005-03-03 |
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