| H3BO3或SiO2掺杂对CTLA陶瓷微波介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘林,方有维,庄文东,唐斌,周晓华,张树人. H3BO3或SiO2掺杂对CTLA陶瓷微波介电性能的影响[J]. 压电与声光, 2012, 34(5): 763-767 |
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| 作者姓名： | 刘林 方有维 庄文东 唐斌 周晓华 张树人 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件重点实验室,四川成都,610054
2. 成都泰格微波技术股份有限公司,四川成都,611731 |
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| 基金项目： | 国家国际科技合作基金资助项目(0102010DFB13800) |
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| 摘 要： | 研究了H3BO3或SiO2掺杂(质量分数为0.02％～2.00％)对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响.结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00％以内的H3BO3或SiO2掺杂不会改变陶瓷的物相组成.在H3BO3掺杂质量分数为2.00％时,样品的微观形貌发生了很大的改变,烧成的陶瓷稀疏多孔,密度急剧下降.研究表明,H3BO3或SiO2掺杂对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的介电常数εr及谐振频率温度系数τf没有很大的影响,但降低了陶瓷的品质因数Q.当质量分数为0.02％时,H3BO3或SiO2掺杂后的0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的微波介电性能最佳:H3 BO3掺杂的陶瓷样品的εr=41.65,品质因数与频率之积Q×f=48 565 GHz,τf≈-1μ℃-1；SiO2掺杂的陶瓷样品的εr=41.48,Q×f=39 491 GHz,τf≈-1μ℃-1.
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| 关 键 词： | 腔体滤波器 微波介质陶瓷 频率温度系数 CaTiO3 LaAlO3 |
Influence of H3BO3 or SiO2 Additive on the Microwave Dielectric Properties of CTLA Ceramics |
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| LIU Lin,FANG Youwei,ZHUANG Wendong,TANG Bin,ZHOU Xiaohua and ZHANG Shuren. Influence of H3BO3 or SiO2 Additive on the Microwave Dielectric Properties of CTLA Ceramics[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2012, 34(5): 763-767 |
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| Authors: | LIU Lin FANG Youwei ZHUANG Wendong TANG Bin ZHOU Xiaohua ZHANG Shuren |
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| Affiliation: | 1(1.State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China 2.Chengdu Tiger Micowave Technology Co.,Ltd.,Chengdu 611731,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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