| Extended-wavelength 640 × 1 linear InGaAs detector arrays using N-on-P configuration for back illumination |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院研究生院,北京100039
2. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿前瞻项目 |
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| 摘 要： | 在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36 μm和1.92 μm,平均优值因子(R0A)为16.0Ω·cm2,峰值量子效率达到了37.5％；在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77％,盲元率约为0.6％.
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| 关 键 词： | ICP刻蚀 N-on-P结构 线列探测器 光电性能 |
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