InSb上化学汽相淀积SiO_2界面形成的X射线光电子谱研究

实验为研制不同的界面层来构成MIS结构,制作了若干InSb(?)样品用以代表不同工艺阶段。经标准的清洗后得到了具有天然氧化层的样品。采用立式反应器进行低温化学汽相淀积,在上述样品上淀积了260(?)SiO_2层。淀积时,氧和硅烷(N_2作输运气体)在220℃下在靠近样品处混合,从而只在样品表面上形成SiO_2。对被有氧化层的样品用化学法进行纵向剥蚀,以检测其成份和结构的差异。