| pnp型SiGe HBT的制备研究 |
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| 引用本文： | 王喜媛,张鹤鸣,刘道广,郑娥,张静,徐婉静.pnp型SiGe HBT的制备研究[J].半导体技术,2003,28(3):34-36,62. |
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| 作者姓名： | 王喜媛 张鹤鸣 刘道广 郑娥 张静 徐婉静 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071
2. 重庆固体电子研究所重点实验室,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发，阐述pnp型Si/SiGe HBT的较大原理，采用MBE方法生长Si/Si1-xGex合金材料，并对Si/Si1-xGex合金材料的物理特性和异质结特性进行表征，在重庆固体电子研究所工艺线上，研制出了pnp型Si/SiGe HBT器件，器件参数为：Vcb0=9V,Vcc0=2.5V,Veb0=5V,β＝10。
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| 关 键 词： | pnp型SiGeHBT 禁带宽度 Ge组分 能带 异质结双极型晶体管 |
| 文章编号： | 1003-353X(2003)03-0034-03 |
| 修稿时间： | 2002年10月15日 |
Preparation study of pnp SiGe HBT |
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| WANG Xi-yuan,ZHANG He-ming,LIU Dao-guang,ZHENG E,ZHANG Jing,XU Wan-jing.Preparation study of pnp SiGe HBT[J].Semiconductor Technology,2003,28(3):34-36,62. |
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| Authors: | WANG Xi-yuan ZHANG He-ming LIU Dao-guang ZHENG E ZHANG Jing XU Wan-jing |
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| Affiliation: | WANG Xi-yuan1,ZHANG He-ming1,LIU Dao-guang2,ZHENG E2,ZHANG Jing2,XU Wan-jing2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pnp SiGe HBT Eg (band-gap energy) the component of Ge band-gap |
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