Fe掺杂SnO_2稀磁半导体超精细场的第一性原理计算 |
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引用本文: | 张乔丽,袁大庆,范平,左翼,郑永男,马小强,梁珺成,朱升云.Fe掺杂SnO_2稀磁半导体超精细场的第一性原理计算[J].核技术,2014(10):111-114. |
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作者姓名: | 张乔丽 袁大庆 范平 左翼 郑永男 马小强 梁珺成 朱升云 |
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作者单位: | 中国原子能科学研究院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(No.11305271、No.91126002);科技部重大专项(No.2012ZX06004-005-005)资助 |
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摘 要: | 采用基于密度泛函理论线性缀加平面波方法的WIEN2k程序,计算Fe掺杂SnO2稀磁半导体的电子结构和磁性,计算中性电荷态Fe0和电荷受主态Fe1-或Fe2-。结果表明,Fe掺杂SnO2的基态都是铁磁态,O空位更容易出现在Fe原子周围。中性电荷态Fe0磁矩较小,Fe1-或Fe2-态磁矩变大,并且计算的磁超精细场和磁矩与穆斯堡尔谱测量结果相符合。电子结构分析表明,掺杂Fe-3d轨道与氧八面体O-2p轨道相互作用,造成3d轨道能级分裂。不同电荷态下,能级分裂的程度不同,从而影响电子填充3d轨道的模式。3d轨道中未成对电子数增加,处于高自旋态的Fe原子是产生巨磁矩的原因。
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关 键 词: | 超精细相互作用 第一性原理 WIENk SnO 稀磁半导体 |
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