| 钛离子注入硅薄层硅化物结构和特性 |
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| 引用本文： | 张通和,吴瑜光.钛离子注入硅薄层硅化物结构和特性[J].微细加工技术,1999(4):14-18. |
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| 作者姓名： | 张通和 吴瑜光 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理所教育部射线束材料工程开放实验室!北京100875 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!（59671051），863 计划的资助项目 |
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| 摘 要： | 用大束流密度的钛金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物，随束流密度的增加，硅化钛生长，薄层硅化物的薄层电阻（Ｒｓ） 明显下降，当束流密度（Ｊ）为０－７５Ａ／ｍ２ 时，Ｒｓ 达到最小值１６Ω／□，电阻率达到０－６４μΩ·ｍ 。经过１０５０ ℃快速退火２０ｓ 后，Ｒｓ 可下降到２－２Ω／ □，说明退火可进一步改善硅化钛的质量。扫描电子显微镜观察表明，枝状连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明，注入层中形成了ＴｉＳｉ和ＴｉＳｉ２ 。背散射分析表明，其薄层厚度为８０ｎｍ 。利用ＭＥＶＶＡ金属离子注入，可获得直径达到Φ５００ｍ ｍ 注入斑点。
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| 关 键 词： | Ti离子注入 硅化物合成 硅化钛 |
Structure and properties of Ti Ion Implanted Silicide Thin Films |
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| ZHANG Tong he,WU Yu guang.Structure and properties of Ti Ion Implanted Silicide Thin Films[J].Microfabrication Technology,1999(4):14-18. |
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| Authors: | ZHANG Tong he WU Yu guang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ti ion implantation Silicide Synthesis Ti Silicide |
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