GaAs的气相腐蚀 |
| |
引用本文: | 刘长恩.GaAs的气相腐蚀[J].微纳电子技术,1971(12). |
| |
作者姓名: | 刘长恩 |
| |
摘 要: | 在GaAs气相生长时,有的情况下能够在衬底与生长层的界面处形成高阻层,这是制备GaAs的器件中的问题所在。自从沃耳夫报导采用气相腐蚀可有效地除去这种高阻层以来,在生长开始前,一般都进行气相腐蚀。可是关于GaAs的气相腐蚀,在生长机构的分析方面有许多的报导,而从表面处理角度写出的报告却很少。作为外延生长前的处理,气相腐蚀的必要条件是:(1)腐蚀后能够保持镜面状态,(2)腐蚀-生长变换必须连续地并迅速地进行。前者作为外延生长前的处理是当然的。因为生长中
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|