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| 为红外激光器生长高质量的InAs量子点 | |
| 引用本文： | 高国龙.为红外激光器生长高质量的InAs量子点[J].红外,2005(6):47-47. |
| 作者姓名： | 高国龙 |
| 摘 要： | 美国喷气推进实验室最近研究出了一种用于生长高质量InAs量子点的改进型方法。用这种改进型方法制作的InAs／InGaAs／InP量子点半导体激光器，能够在室温下在≥1．8μm波长上工作。而以前报道的基于InP衬底的InAs量子点激光器却只能在77K的低温下在1．9μm波长上工作。 |
| 关 键 词： | 红外激光器 InAs量子点 生长工艺 金属有机汽相外延 半导体结构 |
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