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为红外激光器生长高质量的InAs量子点
引用本文:
高国龙.为红外激光器生长高质量的InAs量子点[J].红外,2005(6):47-47.
作者姓名:
高国龙
摘 要:
美国喷气推进实验室最近研究出了一种用于生长高质量InAs量子点的改进型方法。用这种改进型方法制作的InAs/InGaAs/InP量子点半导体激光器,能够在室温下在≥1.8μm波长上工作。而以前报道的基于InP衬底的InAs量子点激光器却只能在77K的低温下在1.9μm波长上工作。
关 键 词:
红外激光器
InAs量子点
生长工艺
金属有机汽相外延
半导体结构
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