| S型声表面波器件特性分析 |
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| 引用本文： | 章安良,朱大中,孙颖. S型声表面波器件特性分析[J]. 压电与声光, 2005, 27(4): 343-345,358 |
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| 作者姓名： | 章安良 朱大中 孙颖 |
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| 作者单位： | 浙江大学,信息科学与工程学院,信息与电子工程学系,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（60176027）;浙江省自然科学基金资助项目（600026） |
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| 摘 要： | 在128°Y切割X传播方向上的L iN bO3基片上设计并研制了S型声表面波器件。它将输入IDT激发的声表面波中心对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出。应用P矩阵法分析了其中一输出IDT检测输出的1次时延信号、3次和5次渡越反射信号与输入IDT所加的电信号之间的关系式,并与“一”字型器件的3次渡越反射信号进行对比。结果表明,S型声表面波器件能有效地降低3次和5次渡越反射信号。
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| 关 键 词： | 声表面波器件 P矩阵 声电再生 |
| 文章编号： | 1004-2474（2005）04-0343-03 |
| 收稿时间： | 2003-11-13 |
| 修稿时间： | 2003-11-13 |
Analysis of Characteristics of S-type Surface Acoustic Wave Device |
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| ZHANG An-liang,ZHU Da-zhong,SUN Ying. Analysis of Characteristics of S-type Surface Acoustic Wave Device[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2005, 27(4): 343-345,358 |
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| Authors: | ZHANG An-liang ZHU Da-zhong SUN Ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | surface acoustic wave device P matrix acoustoelectric regeneration |
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