| BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成 |
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| 引用本文： | 杨建红,汪再兴,张辉,闫锐. BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成[J]. 电力电子技术, 2007, 41(7): 98-100 |
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| 作者姓名： | 杨建红 汪再兴 张辉 闫锐 |
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| 作者单位： | 兰州大学,甘肃,兰州,730000;兰州大学,甘肃,兰州,730000;兰州大学,甘肃,兰州,730000;兰州大学,甘肃,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 对大注入情况下的双极型静电感应晶体管(Bipolar Static Induction Transistor,简称BSIT)的特性作了数值分析.器件尺寸为15000nm×200000nm.分析结果表明,当栅源电压大于0.5V时,在适当的漏源电压下,漏电流就会达到饱和.在大注入情况下,漂移区出现电导调制区(Conductivity-modulation Region,简称CMR),漏源电压很小时,就会导致漏电流的剧增.漏电流的饱和与CMR的收缩有关,漏源电压的增加导致CMR的收缩.在CMR收缩时形成了偶极区,该区域是中性区,其空间大小及其中的电场与漏电压呈线性比例关系.这一关系将导致饱和电流随漏电压成比例地线性变化.
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| 关 键 词： | 晶体管 电学性能/偶极区 电导调制 双极型晶体管 |
| 文章编号： | 1000-100X（2007）07-0098-03 |
| 修稿时间： | 2006-12-15 |
Shrinkage of Conductivity-modulation Region and Formation of Dipole Domain in Bipolar-mode Static Induction Transistor |
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| YANG Jian-hong,WANG Zai-xing,ZHANG Hui,YAN Rui. Shrinkage of Conductivity-modulation Region and Formation of Dipole Domain in Bipolar-mode Static Induction Transistor[J]. Power Electronics, 2007, 41(7): 98-100 |
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| Authors: | YANG Jian-hong WANG Zai-xing ZHANG Hui YAN Rui |
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| Affiliation: | Lanzhou University, Lanzhou 730000, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | transistor electrical properties/dipole domain conductivity modulation bipolar transistor |
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