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| 用移动加热器方法生长Hg 基(HgCdTe)合金 | |
| 引用本文： | R.R.Chang,乃文.用移动加热器方法生长Hg 基(HgCdTe)合金[J].激光与红外,1988(3). |
| 作者姓名： | R.R.Chang 乃文 |
| 摘 要： | 已用多种块状和薄膜技术生长碲镉汞。目前红外探测器对材料有严格的要求。然而由于在生长三元化合物,特别是含汞化合物中所遇到的困难,单晶生长尚未能满足所有器件的要求。本工作研究了用于生长大面积(Hg Cd)Te和(Hg,Mn)Te单晶的移动加热器方法(THM法)。移动加热器方法作为一种生长高质量晶体的优良方法早已有报导。G.A.Wolff和A.I.Mlavshy阐述了THM方法的突出的优点。本文目的是提供电学性质、MIS |
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