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| M4R4（M=B,Al,GaR=tBu,SitBu3）异常分子结构的理论研究 | |
| 引用本文： | 吴义芳.M4R4（M=B,Al,GaR=tBu,SitBu3）异常分子结构的理论研究[J].广州化工,2013(13):13-16,29. |
| 作者姓名： | 吴义芳 |
| 作者单位： | 菏泽学院化学与化工系 |
| 基金项目： | 菏泽学院科学研究基金项目(No:XY10CL01) |
| 摘 要： | 采用密度泛函方法,在PBE/DZP水平上,通过与化合物C4R4、Si4SiR3]4比较,对标题化合物的异常分子结构进行了理论研究,并计算了分子的核排斥能(PBE/6-31g**)、静电势(PBE/6-31g**)、结合能(PBE/TZP),对关键键能进行了能量分解(PBE/TZP)。计算结果表明静电吸引作用和轨道作用是B4R4,Al4SiR3]4和Ga4SiR3]4分子存在异常分子结构主要原因。 |
| 关 键 词： | 分子静电势 能量分解 密度泛函理论 |
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