| InP 层对正面及背面入光 PIN 探测器响应度影响研究 |
| |
| 引用本文： | 杨集,冯士维,李瑛,吕长志,谢雪松,张小玲.InP 层对正面及背面入光 PIN 探测器响应度影响研究[J].光电工程,2006,33(12):141-144. |
| |
| 作者姓名： | 杨集 冯士维 李瑛 吕长志 谢雪松 张小玲 |
| |
| 作者单位： | 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
| |
| 基金项目： | 北京市自然科学基金;教育部留学回国人员科研启动基金 |
| |
| 摘 要： | InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。
|
| 关 键 词： | InGaAs/InP PIN探测器 响应度 InP盖层 |
| 文章编号： | 1003-501X(2006)12-0141-04 |
| 收稿时间： | 2006-03-08 |
| 修稿时间： | 2006-10-31 |
Influence of InP layer on responsivity of the front and back illuminated PIN photo diodes |
| |
| YANG Ji,FENG Shi-wei,LI Ying,L Chang-zhi,XIE Xue-song,ZHANG Xiao-ling.Influence of InP layer on responsivity of the front and back illuminated PIN photo diodes[J].Opto-Electronic Engineering,2006,33(12):141-144. |
| |
| Authors: | YANG Ji FENG Shi-wei LI Ying L Chang-zhi XIE Xue-song ZHANG Xiao-ling |
| |
| Affiliation: | YANG Ji,FENG Shi-wei,LI Ying,L(U) Chang-zhi,XIE Xue-song,ZHANG Xiao-ling |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | InGaAs/InP |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
