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| 穿透硅通孔:兼顾技术与成本的考虑 | |
| 作者姓名： | Jan Provoost Eric Beyne |
| 作者单位： | IMEC;www.imec.be; |
| 摘 要： | 采用3维(3D)芯片层叠的生产技术用于制造更复杂、性能更强大、更具成本效率的系统,是一个具有前景的方向。采用穿透硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的连接技术可以有效地实现这种3D芯片层叠。 |
| 关 键 词： | 焊接 技术需要 高成品率 成本效益 硅片 晶粒 工艺步骤 层叠 成本效率 通孔 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |