| ISM频段中功率功率放大器 |
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| 引用本文： | 白大夫,刘训春,袁志鹏,钱永学.ISM频段中功率功率放大器[J].半导体学报,2004,25(6):626-632. |
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| 作者姓名： | 白大夫 刘训春 袁志鹏 钱永学 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，中国科学院微电子研究所，中国科学院微电子研究所，中国科学院微电子研究所 北京100029，中国科学院研究生院，北京100039，北京100029，北京100029，中国科学院研究生院，北京100039，北京100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用三指单胞的InGaP/GaAsHBT提取的大信号模型参数 ,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器 .通过对传统偏置网络的优化 ,消除了小信号下的增益压缩 .在 3 5V电压下 ,该放大器的最大线性输出功率为30dBm ,增益达到 2 9 1dB ,对应的功率附加效率为 4 3 4 % ,临近沟道抑制比达到 - 10 0dBc,而静态偏置电流很低 ,只有 10 9 7mA .
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| 关 键 词： | 异质结双极型晶体管 功率放大器 偏置网络 增益压缩 静态偏置电流 |
ISM Band Medium Power Amplifier |
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| Bai Dafu,Liu Xunchun,Yuan Zhipeng,Qian Yongxue.ISM Band Medium Power Amplifier[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(6):626-632. |
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| Authors: | Bai Dafu Liu Xunchun Yuan Zhipeng Qian Yongxue |
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| Abstract: | With the large-signal model extracted from the InGaP/GaAs HBT with three fingers,a three-stage,class AB power amplifier at ISM band is designed.Through the optimization of the traditional bias network,the gain compression at the low input power level is eliminated successfully.At 3.5V of supply voltage of the power amplifier after optimization exhibits 30dBm of maximum linear output power,43.4% of power added efficiency 109.7mA of a quite low quiescent bias current ,29.1dB of the corresponding gain,and -100dBc of the adjacent channel power rejection (ACPR) at the output power of 30dBm. |
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| Keywords: | heterojunction bipolar transistor power amplifier bias network gain compression quiescent bias current |
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